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カジ 旅 本人 確認
パワーモジュール

パワーカジ 旅 本人 確認
カジ 旅 本人 確認は、各種用途に適した高品質・高信頼性のパワーモジュールをラインアップしています。
カジ 旅 本人 確認一覧
IGBTモジュール
SiCモジュール
IGBTモジュール Xシリーズの特長

第7 世代「X シリーズ」は、本モジュールを構成するIGBT素子およびダイオード素子の厚みをさらに薄くし微細化することで、素子構造を最適化。
これにより、従来カジ 旅 本人 確認(当社第6 世代「Vシリーズ」)に比べてインバータ動作時の電力損失を低減しました。搭載機器の省エネと電力コスト削減に貢献します。

1. 低損失
グラフ

本モジュールを構成するIGBT素子およびダイオード素子の厚みを薄くし微細化することで、素子構造を最適化。これにより、従来カジ 旅 本人 確認(当社第6世代Vシリーズ)に比べてインバータ動作時の電力損失を低減

インバータロスを10%、チップ温度を11℃低減 (第6世代Vシリーズ75A, fc=8kHz 比較)

2. 小型化
36%小型化

新たに開発した絶縁基板を適用し、モジュールの放熱性を向上。電力損失低減と併せて発熱を抑制することで、従来カジ 旅 本人 確認に比べて約36%の小型化を達成。

3. 高温動作
更なる出力アップ

高信頼性・高耐熱パッケージおよびチップの最適化により175℃連続動作を実現。

  • 従来カジ 旅 本人 確認より更に35%の出力アップも可能

  • ΔTvj パワーサイクル耐量向上(従来比2倍)

IGBTモジュール Xシリーズのカジ 旅 本人 確認系列(開発中を含む) 650V/1200V/1700V
表

PIM: Power Integrated Modules, 複数回路を一つのモジュール内に収めたカジ 旅 本人 確認
RC-IGBT: Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor(逆導通 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
EconoPIM™, PrimePACK™はInfineon Technologies社の登録商標です

SiCモジュールの特長
SiC-SBD搭載IGBTハイブリッドモジュール Xシリーズ/Vシリーズ
  • 高性能チップ適用

    • 低損失のXシリーズ/VシリーズIGBT

    • 低損失のSiC-SBD

  • 従来のSi-IGBTモジュールカジ 旅 本人 確認とパッケージ互換

All-SiCモジュール
  • 最新世代トレンチゲートMOSFET適用による大幅な低損失化を実現

  • 従来のSi-IGBTモジュールと互換パッケージ適用

  • パッケージの低インダクタンス化

デザインサポート
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